正在加載......
 
 
                 
  
 
                                             
    
 
   DIODES
 
 
   SiC
 
 
   IGBT 
 
  
 
 
 
  
 
 
  
 
   CRYSTAL 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 


IGBT
 

Package

Inside
Circuit

Part
Number

VCES
min.

IC
TC=80~100°C

VCE(sat)
typ.

PD
max.

Eoff
TJ=125°C

Rθjc
max.

(V)

(A)

(V)

(W)

(mJ)

(°C/W)

KGW15N120

1200

15

1.85

200

1.20

0.50

KGW25N120A

1200

25

1.75

333

2.00

0.45

KGW25N120B

1200

25

2.00

312

1.80

0.40

KGW40N120A

1200

40

1.80

415

3.70

0.30

KGW40N120B

1200

40

2.15

415

1.90

0.30